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アルミナ高精度セラミックリングセラミック部品
冷間静水圧成形後、高温焼結し、精密機械加工と研磨を施したセラミック製スペアパーツは、耐摩耗性、耐腐食性、低熱膨張率、絶縁性といった特性を備え、半導体製造装置の厳しい要求にも応えることができます。セラミックは、高温、真空、腐食性ガスといった過酷な環境下でも、様々な半導体製造装置で長期間使用可能です。
高純度アルミナ粉末を原料とし、冷間静水圧プレス、高温焼結、精密仕上げ加工を施すことで、寸法公差±0.001mm、表面粗さRa 0.1、耐熱温度1600℃を実現しています。
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ST.CERA社製カスタム半導体製造装置用セラミックチャック
冷間静水圧成形後、高温焼結し、精密機械加工と研磨を施したセラミック製スペアパーツは、耐摩耗性、耐腐食性、低熱膨張率、絶縁性といった特性を備え、半導体製造装置の厳しい要求にも応えることができます。セラミックは、高温、真空、腐食性ガスといった過酷な環境下でも、様々な半導体製造装置で長期間使用可能です。
高純度アルミナ粉末を原料とし、冷間静水圧プレス、高温焼結、精密仕上げ加工を施すことで、寸法公差±0.001mm、表面粗さRa 0.1、耐熱温度1600℃を実現しています。
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炭化ケイ素（SiC）セラミック製エンドエフェクタ – 高温ウェハハンドリングに対応する高剛性
St.Cera社のSiCセラミックエンドエフェクタは、高純度炭化ケイ素（SiC含有量99.72%、遊離Si 0.05%）を原料とし、S1111バッチ材を使用して製造されています。優れた機械的特性を備え、曲げ強度449 MPa（実測値）、弾性率457 GPa（実測値）、ビッカース硬度25～28 GPa（標準値）を実現しています。低密度（3.10～3.15 g/cm³、標準値）により高い比剛性が得られ、高速ウェハ搬送ロボットに最適です。熱伝導率120～150 W/m・K（標準値）、熱膨張係数4.0～4.5×10⁻⁶/℃（標準値）により、高温処理（無負荷時1600～1700℃まで）においても効果的に放熱し、寸法安定性を維持します。黒/グレーの色と吸水性ゼロにより、クリーンルームでの使用可能です。
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高温・プラズマ環境向けシリコンカーバイド（SiC）製真空チャック
St.Cera社のSiCベースのセラミックチャックは、高純度炭化ケイ素（バッチS1111、SiC 99.72%、遊離Si 0.05%）から製造されています。曲げ強度449 MPa、破壊靭性3.12 MPa·m¹/²、弾性率457 GPaという優れた特性を備えています。この材料は、熱伝導率（120～150 W/m·K）と熱膨張率（4.0～4.5×10⁻⁶/℃）が優れているため、温度上昇が速く、熱サイクル中のウェーハの反りを最小限に抑えることができます。チャックは、多孔質真空チャック（均一なガス流）または溝付き標準チャックとして構成可能です。最高使用温度1600～1700℃（無負荷時）と優れたプラズマ侵食耐性を備えたこのチャックは、アルミナ製チャックが劣化する高温ウェーハ処理（アニーリング、RTP）や腐食性の高いエッチングチャンバーに最適です。
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半導体製造装置用セラミック部品、セラミックキャリア
冷間静水圧成形後、高温焼結し、精密機械加工と研磨を施したセラミック製スペアパーツは、耐摩耗性、耐腐食性、低熱膨張率、絶縁性といった特性を備え、半導体製造装置の厳しい要求にも応えることができます。セラミックは、高温、真空、腐食性ガスといった過酷な環境下でも、様々な半導体製造装置で長期間使用可能です。
高純度アルミナ粉末を原料とし、冷間静水圧プレス、高温焼結、精密仕上げ加工を施すことで、寸法公差±0.001mm、表面粗さRa 0.1、耐熱温度1600℃を実現しています。
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高剛性ラッピング用途向け金属裏打ちアルミナセラミック研削リング
St.Cera社の金属ベースアルミナ研削リングは、高純度アルミナ（99.8% Al₂O₃）セラミック摩耗層と精密加工された金属裏打ち材（通常はアルミニウムまたはステンレス鋼）を組み合わせたハイブリッド設計です。このハイブリッド設計により、研削面にはセラミックの優れた耐摩耗性と化学的不活性が発揮される一方、金属ベースは機械的強度、容易な取り付け、脆性破壊に対する耐性を向上させます。アルミナ層は、361 MPaの曲げ強度、16 GPaのビッカース硬度、800℃までの耐熱性を備えています。金属ベースは、ラッピングマシン、遊星研削盤、CMP装置への組み込みに合わせて、取り付け穴、位置決めピン、または磁気特性などのカスタマイズが可能です。
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半導体プローブステーション装置用セラミック製スペアパーツ
冷間静水圧成形後、高温焼結し、精密機械加工と研磨を施したセラミック製スペアパーツは、耐摩耗性、耐腐食性、低熱膨張率、絶縁性といった特性を備え、半導体製造装置の厳しい要求にも応えることができます。セラミックは、高温、真空、腐食性ガスといった過酷な環境下でも、様々な半導体製造装置で長期間使用可能です。
高純度アルミナ粉末を原料とし、冷間静水圧プレス、高温焼結、精密仕上げ加工を施すことで、寸法公差±0.001mm、表面粗さRa 0.1、耐熱温度1600℃を実現しています。
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Al2O3セラミックウェハーチャックのカスタマイズ加工
冷間静水圧成形後、高温焼結し、精密機械加工と研磨を施したセラミック製スペアパーツは、耐摩耗性、耐腐食性、低熱膨張率、絶縁性といった特性を備え、半導体製造装置の厳しい要求にも応えることができます。セラミックは、高温、真空、腐食性ガスといった過酷な環境下でも、様々な半導体製造装置で長期間使用可能です。
高純度アルミナ粉末を原料とし、冷間静水圧プレス、高温焼結、精密仕上げ加工を施すことで、寸法公差±0.001mm、表面粗さRa 0.1、耐熱温度1600℃を実現しています。
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ST.CERA社製カスタム半導体製造装置用セラミックプレート
冷間静水圧成形後、高温焼結し、精密機械加工と研磨を施したセラミック製スペアパーツは、耐摩耗性、耐腐食性、低熱膨張率、絶縁性といった特性を備え、半導体製造装置の厳しい要求にも応えることができます。セラミックは、高温、真空、腐食性ガスといった過酷な環境下でも、様々な半導体製造装置で長期間使用可能です。
高純度アルミナ粉末を原料とし、冷間静水圧プレス、高温焼結、精密仕上げ加工を施すことで、寸法公差±0.001mm、表面粗さRa 0.1、耐熱温度1600℃を実現しています。
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300mmウェハ加工用12インチアルミナ真空チャック
St.Cera社の12インチ真空チャックは、300mmウェハのハンドリング用に、純度99.8%の高純度アルミナ（Al₂O₃）から精密に設計されています。チャックの表面には、300mm径全体に均一な真空分布を確保するために、微細な溝（溝幅0.5～1.0mm、ピッチ2～3mm）が施されています。平面度は5μm以内に維持され、ダイシング、裏面研削、検査の際にウェハの反りを防止します。この材料は高い曲げ強度（361MPa）と硬度（16GPa）を備えているため、真空サイクルを繰り返しても長期的な寸法安定性が保証されます。
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真空チャネルを内蔵したアルミナセラミック製エンドエフェクター
St.Ceraのアルミナ製真空エンドエフェクタは、99.8%の高純度アルミナ本体に精密加工された真空チャネルと吸引孔を直接組み込んでいます。この設計により外部真空パッドが不要となり、均一な保持力でウェハを直接ピックアップできます。アルミナの高い曲げ強度（361 MPa）と硬度（16 GPa）により、真空サイクルを繰り返しても長期的な寸法安定性が確保されます。パッド領域全体の平面度は10 μm以内に維持され、ウェハの応力や破損を防ぎます。真空ポートは背面取り付けフランジに配置されているため、OEMロボットアームとの統合が容易です。
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静電気に敏感なウェハーの取り扱いに適したESD対応アルミナセラミック部品
St.Cera社のESD（静電気放電）対応アルミナセラミック部品は、99.8%の高純度Al₂O₃を原料とし、独自のドーピングまたはコーティングプロセスによって、10⁶～10⁹Ω/sqの表面抵抗率を実現しています。これらの部品は静電荷を効果的に放散し、高感度な半導体ウェハやデバイスへの静電気による損傷を防ぎます。基材は、高い曲げ強度（361MPa）、硬度（16GPa）、絶縁耐力（15×10⁶V/m）を維持しています。ESD対応セラミック部品には、エンドエフェクタ、リフトピン、ガイドレール、FAB自動化用のカスタム治具などがあります。
