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半導体プローブ装置用セラミック製スペアパーツ
冷間静水圧成形後、高温焼結し、精密機械加工と研磨を施したセラミック製スペアパーツは、耐摩耗性、耐腐食性、低熱膨張率、絶縁性といった特性を備え、半導体製造装置の厳しい要求にも応えることができます。セラミックは、高温、真空、腐食性ガスといった過酷な環境下でも、様々な半導体製造装置で長期間使用可能です。
高純度アルミナ粉末を原料とし、冷間静水圧プレス、高温焼結、精密仕上げ加工を施すことで、寸法公差±0.001mm、表面粗さRa 0.1、耐熱温度1600℃を実現しています。
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セラミックプレート半導体製造装置キャリア
冷間静水圧成形後、高温焼結し、精密機械加工と研磨を施したセラミック製スペアパーツは、耐摩耗性、耐腐食性、低熱膨張率、絶縁性といった特性を備え、半導体製造装置の厳しい要求にも応えることができます。セラミックは、高温、真空、腐食性ガスといった過酷な環境下でも、様々な半導体製造装置で長期間使用可能です。
高純度アルミナ粉末を原料とし、冷間静水圧プレス、高温焼結、精密仕上げ加工を施すことで、寸法公差±0.001mm、表面粗さRa 0.1、耐熱温度1600℃を実現しています。
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半導体製造装置用セラミック部品
冷間静水圧成形後、高温焼結し、精密機械加工と研磨を施したセラミック製スペアパーツは、耐摩耗性、耐腐食性、低熱膨張率、絶縁性といった特性を備え、半導体製造装置の厳しい要求にも応えることができます。セラミックは、高温、真空、腐食性ガスといった過酷な環境下でも、様々な半導体製造装置で長期間使用可能です。
高純度アルミナ粉末を原料とし、冷間静水圧プレス、高温焼結、精密仕上げ加工を施すことで、寸法公差±0.001mm、表面粗さRa 0.1、耐熱温度1600℃を実現しています。
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高温チャンバーシール用高純度アルミナセラミックシールリング
St.Ceraのセラミック製シールリングは、エラストマーが劣化する過酷な環境において、ポリマー製Oリングの代替品として設計されています。純度99.8%の高純度アルミナ（Al₂O₃）から製造されたこの剛性の高いシールリングは、静的シール用途（通常は軟質金属またはグラファイト製ガスケットと組み合わせて使用）において、800℃までの温度や、腐食性の高いプラズマ環境または化学環境下でも、真空またはガスを確実に封じ込めます。この材料は、ガス放出ゼロ、高い圧縮強度（曲げ強度361MPa）、および化学的不活性（HFを除くハロゲン、酸、アルカリに耐性）を備えています。精密に研磨されたシール面（平面度≤5μm、表面粗さRa≤0.2μm）により、相手側の金属またはセラミック部品との気密性の高い接触が保証されます。
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プラズマエッチングおよびCVDシステム用高純度アルミナチャンバーフォーカスリング
St.Cera社のチャンバーフォーカスリングは、プラズマエッチング、CVD、PVD半導体製造装置で使用される重要なプロセスキット部品です。純度99.8%の高純度アルミナ（Al₂O₃）から製造されたこのリングは、ウェーハの端を囲むように配置することでプラズマを閉じ込め、イオンの角度分布を最適化し、ウェーハ表面全体のエッチング均一性を向上させます。この材料は、優れた耐プラズマ性、高い絶縁耐力（15×10⁶ V/m）、および1600℃までの熱安定性を備えており、フッ素系または塩素系の過酷なプラズマ環境下でも長期にわたる信頼性を確保します。精密研磨された内径/外径と平面度（≤10 μm）により、ウェーハ端の正確な位置決めが可能となり、端面欠陥や粒子発生を低減します。
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CVD/PVDプロセスチャンバー用高純度アルミナセラミックリング
St.Ceraのセラミックリングは、CVD（化学気相成長法）およびPVD（物理気相成長法）プロセスチャンバーでの使用を想定して特別に設計されています。純度99.8%の高純度アルミナ（Al₂O₃）から製造されたこのリングは、チャンバーライナー、フォーカスリング、またはプロセスキットのコンポーネントとして機能し、プラズマを閉じ込め、チャンバー壁を侵食から保護します。この材料は、優れた耐プラズマ性、高い絶縁耐力（15×10⁶ V/m）、および1600℃までの熱安定性を備えており、腐食性の高いフッ素系プラズマ環境でも長寿命を実現します。精密な寸法公差（内径/外径±0.05 mm）と平面度（≤10 μm）により、ウェーハ端の位置決めが安定し、成膜の均一性が向上し、粒子発生が低減されます。
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ベルヌーイセラミックエンドエフェクタ ― 薄型・脆いウェハーの非接触搬送
St.Cera社のベルヌーイセラミックエンドエフェクタは、空気力学的揚力を利用してウェハーを物理的に接触させることなく搬送します。高純度99.8%アルミナ（Al₂O₃）または炭化ケイ素（SiC）から製造され、精密加工されたノズルから加圧ガスを噴射し、エンドエフェクタとウェハーの間に薄い空気膜を形成します。この非接触方式により、裏面汚染、エッジの欠け、表面損傷が防止され、薄い（≤100 μm）、脆い、または反りのあるウェハーに最適です。セラミック基板は、高い曲げ強度（Al₂O₃で361 MPa、SiCで最大550～600 MPa）、軽量、優れた寸法安定性を備えており、高速ウェハー搬送ロボットでの再現性の高い位置決めを保証します。
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半導体および産業用途向け高純度アルミナセラミック部品
St.Cera社は、顧客の仕様に合わせて精密加工されたアルミナ（Al₂O₃）セラミック部品を製造しています。純度99.8%の高純度アルミナを使用することで、これらの部品は優れた曲げ強度（361 MPa）、高い硬度（16 GPa）、そして卓越した絶縁耐力（15×10⁶ V/m）を実現しています。半導体製造装置、耐摩耗性アセンブリ、電気絶縁体、高温治具向けに設計されたこの材料は、ほぼゼロの吸水率（0%）と7.2×10⁻⁶/℃の熱膨張係数を備え、過酷な条件下でも寸法安定性を確保します。
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反りのあるウェハーを扱うための多孔質セラミック製真空チャック
St.Ceraの多孔質セラミックチャックは、高純度アルミナを原料とし、30～45%の均一な開放気孔率と10～100μmの細孔径を有しています。従来の溝付きチャックとは異なり、多孔質表面によりウェーハ裏面全体に均一な真空が供給されるため、反りや薄さ、または分離したウェーハでも、端が浮き上がったり破損したりすることなく効果的に保持できます。また、穏やかな真空（絞り弁で調整可能）により、裏面へのマーキングも防止します。
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薄型ウェハー搬送用アルミナ系多孔質セラミック真空チャック
St.Cera社のアルミナ系多孔質チャックは、純度99.6%のAl₂O₃を原料とし、開放気孔率を30～45%に制御し、細孔径を10～50μmに均一に制御しています。溝付きチャックとは異なり、多孔質表面によりウェーハ裏面全体に真空が均一に分布するため、エッジマーキングが発生せず、極薄（100μm以下）ウェーハや反りのあるウェーハも優しく保持できます。この材料は、250MPa以上の曲げ強度と、空気中で400℃までの耐熱性を備えています。
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CVD/PVDシャワーヘッド用アルミナガス分配プレート
St.Cera社のガス分配プレート（シャワーヘッド）は、純度99.8%の高純度アルミナセラミックから精密加工されています。直径0.3～1.5mmの微細な穴が多数設けられており、CVD、PVD、ALDプロセス中にウェーハ表面全体に均一なガス流を確保します。このプレートは高い絶縁耐力（>15×10⁶V/m）とプラズマ耐性を備えているため、半導体薄膜成膜に不可欠です。
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半導体製造プロセス治具用セラミック製支持ピン
St.Cera社のセラミック製支持ピン（リフトピンまたはサポートピンとも呼ばれる）は、半導体製造プロセスチャンバーにおいて、ウェーハや基板の搬送、加熱、冷却時に持ち上げるために使用されます。純度99.8%のアルミナまたは窒化ケイ素から製造されたこれらのピンは、高い圧縮強度、熱安定性、耐薬品性を備えています。半球状または平らな先端形状により、ウェーハの傷つきを防ぎます。
